關于s8050晶體管參數(shù)，s8050三極管參數(shù)這個很多人還不知道，今天菲菲來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

(相關資料圖)

1、s8050三極管基本參數(shù)：類型：NPN。

2、集電極耗散功率Pc：0.625W（貼片：0.3W）。

3、集電極電流Ic：0.5A。

4、集電極-基極電壓Vcbo：40V。

5、集電極-發(fā)射極電壓Vceo：25V。

6、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce(sat)： 0.6V。

7、特征頻率f： 最小150MHz。

8、按三極管后綴號分為 B C D檔 貼片為 L H檔。

9、放大倍數(shù)：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。

10、管腳排列順序：E、B、C或E、C、B。

11、S8050是一款小功率NPN型硅管，集電極-基極（Vcbo）電壓最大可為40V，集電極電流為（Ic）0.5A。

12、S8050是電路硬件設計最常用半導體三極管型號之一。

13、擴展資料理論原理：對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結稱為發(fā)射結，而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發(fā)射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。

14、當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Eb。

15、由于基區(qū)很薄,加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo。

16、參考資料來源：百度百科-S8050參考資料來源：百度百科-三極管。

本文到此分享完畢，希望對大家有所幫助。

關鍵詞： 參數(shù)

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