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真我11pro+:VGaN全鏈路


(資料圖片)

2023年5月10日,號稱“2000元檔質價比之王”的真我11 Pro+震撼發(fā)布。作為2023年“無越級不發(fā)布”的第三款產(chǎn)品,真我11系列以影像為全新越級點,推出2億單鏡變焦相機,同時在外觀構造、屏幕設計、充電續(xù)航等方面也進行了全面升級,而最低售價僅1999元,成為同價位段當之無愧的質價比之王。

據(jù)了解,真我的數(shù)字系列是安卓手機中最快達到5000萬出貨量的產(chǎn)品線之一,真我能在短時間內(nèi)創(chuàng)下一億臺手機銷量的里程碑,其功不可沒。

在充電續(xù)航方面,真我11Pro+搭載了用100W+5000mAh閃充長續(xù)航組合,實測5分鐘充30%,25分鐘充100%,日常基本無續(xù)航焦慮。

值得一提的是,真我11 Pro+實現(xiàn)了從適配器到手機端全鏈路氮化鎵,手機內(nèi)置40V氮化鎵芯片(英諾賽科VGaN),僅用一顆就能替代原本兩顆背靠背的Si MOS ,充電更快的同時體積更小,散熱更快,也是目前這個價位段首個全鏈路GaN百瓦閃充。

充電頭網(wǎng)從英諾賽科官方渠道了解到,英諾賽科雙向導通氮化鎵芯片 VGaN 系列,具備無體二極管、低導通阻抗等特性,能夠實現(xiàn)以一(V-GaN)替二(硅MOSFET),有效節(jié)省手機PCBA空間,并使手機充電過程中的核心部件發(fā)熱降低85%,為用戶帶來更好的快充體驗。

據(jù)悉,英諾賽科的VGaN已在realme GT2,OPPO reno7 pro,一加Ace2等系列手機中被采用,實現(xiàn)了全鏈路GaN快充。

目前,大部分廠家還只是專注于快充鏈路上的某一個領域,只有極少數(shù)公司才有能力去做手機快充全鏈路上的完整方案,英諾賽科便是這條道路的開拓先鋒。如今氮化鎵在消費類快充領域已邁入加速期,英諾賽科發(fā)布全新的VGaN產(chǎn)品,深入布局手機快充領域,意在推動全鏈路氮化鎵快充的全面普及。

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責任編輯:Rex_15

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真我11pro+:VGaN全鏈路

· 2023-05-15 20:49:19
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